AI 뉴스웨이브SK하이닉스 안현 사장, HBF 최종 규격 내년 1월 확정
핵심 요약
- HBF 최종 규격 내년 1월 확정
- HBM 넘어 3D 적층 D램도 개발
- AI 추론 메모리 병목 해소 목표
본문
SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM)의 다음 세대 AI 메모리로 개발 중인 고대역폭플래시(HBF)의 최종 규격을 내년 1월 내놓는다. 안현 개발총괄(CDO) 사장은 14일 서울 코엑스에서 열린 반도체대전(SEDEX) 2026 기조연설에서 이렇게 밝혔다고 디일렉이 전했다.
안 사장은 HBM을 넘어 3차원 적층 D램과 HBF 같은 차세대 메모리 개발을 강조했다. 아이뉴스24와 IT조선은 이 기술들로 AI 메모리의 병목을 해결하겠다는 취지라고 전했다. IT조선에 따르면 HBF는 HBM 대비 용량을 10배 늘리는 제품이다.
EBN은 AI 추론 시장의 급성장에 맞춰 개별 메모리 제품의 성능을 넘어 전체 메모리 계층을 최적화하겠다는 전략이라고 설명했다. 조선비즈는 GPU 위에 D램을 직접 쌓는 '3D 스택 D램'과 고객 맞춤형 HBM 개발도 언급됐다고 전했고, 테크월드뉴스는 CXL 같은 차세대 기술도 거론됐다고 보도했다.